馬斯克的晶片專案Terafab正在快速建設，據知情人士透露，該專案可能在明年年中迎來首台阿斯麥EUV光刻裝置。這一時間點早於外界對工廠建設進度的預期。

研究機構SemiAnalysis此前預測，Terafab研發工廠的主體結構要到2027年底才能完工，裝置安裝則要等到當年晚些時候。該機構預計Terafab建築將在15個月內竣工，特斯拉還需約六個月安裝裝置和生產工具，之後才能開始加工晶圓、進行晶片生產試驗，為量產晶圓廠一期工程做準備。這意味著若EUV裝置真在明年年中到貨，可能需存放數月才能投入使用。

由於當前獲得一台阿斯麥Twinscan NXE EUV光刻機十分困難，提前購置並閒置數月看似代價高昂，但對Terafab而言，這可能不像對傳統晶片製造商那樣構成重大財務問題。

在技術路線上，馬斯克曾暗示Terafab計劃採用一種新的極紫外光生成方法，用自由電子雷射器（FEL）替代阿斯麥的雷射等離子體光源。雷射等離子體光源技術只有約0.1%的輸入電能可轉化為極紫外輸出，且工藝會產生碎片和汙染物，增加維護需求；而FEL EUV技術仍處於研發階段，尚無成熟供應商。

提前購置阿斯麥光刻機的訊息也意味著，Terafab第一代產品仍將依賴更傳統的裝置。這並不令人意外，因為Terafab計劃採用英特爾14A製造技術。英特爾的14A工藝不僅使用現有的低數值孔徑EUV掃描器，還會使用下一代高數值孔徑EUV裝置。若改用非常規且未經充分測試的光源，將需要對製造工藝進行重大修改、廣泛的裝置認證，並可能調整光掩模和光刻膠，從而使英特爾14A技術的轉移複雜化，並延遲Terafab的量產爬坡。