马斯克的芯片项目Terafab正在快速建设，据知情人士透露，该项目可能在明年年中迎来首台阿斯麦EUV光刻设备。这一时间点早于外界对工厂建设进度的预期。

研究机构SemiAnalysis此前预测，Terafab研发工厂的主体结构要到2027年底才能完工，设备安装则要等到当年晚些时候。该机构预计Terafab建筑将在15个月内竣工，特斯拉还需约六个月安装设备和生产工具，之后才能开始加工晶圆、进行芯片生产试验，为量产晶圆厂一期工程做准备。这意味着若EUV设备真在明年年中到货，可能需存放数月才能投入使用。

由于当前获得一台阿斯麦Twinscan NXE EUV光刻机十分困难，提前购置并闲置数月看似代价高昂，但对Terafab而言，这可能不像对传统芯片制造商那样构成重大财务问题。

在技术路线上，马斯克曾暗示Terafab计划采用一种新的极紫外光生成方法，用自由电子激光器（FEL）替代阿斯麦的激光等离子体光源。激光等离子体光源技术只有约0.1%的输入电能可转化为极紫外输出，且工艺会产生碎片和污染物，增加维护需求；而FEL EUV技术仍处于研发阶段，尚无成熟供应商。

提前购置阿斯麦光刻机的消息也意味着，Terafab第一代产品仍将依赖更传统的设备。这并不令人意外，因为Terafab计划采用英特尔14A制造技术。英特尔的14A工艺不仅使用现有的低数值孔径EUV扫描仪，还会使用下一代高数值孔径EUV设备。若改用非常规且未经充分测试的光源，将需要对制造工艺进行重大修改、广泛的设备认证，并可能调整光掩模和光刻胶，从而使英特尔14A技术的转移复杂化，并延迟Terafab的量产爬坡。